（通讯员 高宇璐） 11月21日，中国科学院院士黄如受 IEEE ED 西安分会邀请，在北校区阶教112报告厅为400余名西电师生作题为“后摩尔时代的低功耗新器件技术”的学术报告。报告会由党委副书记杨银堂主持。

黄如院士作学术报告

党委副书记杨银堂主持报告会

报告会伊始，杨银堂对黄如的到来表示热烈欢迎，并对其研究领域和研究成果作了简要介绍。杨银堂表示，黄如院士是微电子器件领域杰出的带头人，相信她的报告将为西电师生掌握最新器件与微电子动态、了解前沿科研方向起到很好的指导作用。

黄如在报告前，对IEEE EDS进行了介绍。她谈到，IEEE EDS汇集了世界上微电子器件领域一批著名的专家学者和一批非常活跃的青年人。IEEE EDS的任务涵盖着出版、教育等多方面，其中包括微电子器件领域标志性期刊IEEE Electron Device Letters（EDL）和IEEE Transactions on Electron Devices（TED），以及标志性国际会议IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）等。IEEE EDS还有专门针对博士生与硕士生的服务，西电在微电子领域做得非常出色，欢迎感兴趣的学生加入、参加行业交流活动以及申请学术奖金。

报告中，黄如从后摩尔时代IC技术的发展趋势和面临挑战开始讲起，她表示，国际半导体技术发展路线图（ITRS）在2015年发生了一个很大的变化，由从前几十年的ITRS 1.0变化为ITRS 2.0。针对冯诺依曼架构的发展，一方面功耗成为重要中心词，从传统的缩小尺寸，发展到进入一些新结构、新材料等；另一个很重要的变化是由从前的技术推动更多，反过来转变为应用驱动技术发展，整个系统更加关注功能和应用，并呈现多种技术互补共生、各司其职的趋势。另一个很重要的特征，这是ITRS首次牵手计算，开始关注于非冯架构的情况，非传统计算有许多，此处比较关注类脑计算、随机计算、量子计算三类，在这样的计算架构变化下，器件、电路、架构、算法等协同设计的趋势显得愈发迫切与必要。

随后，黄如重点介绍了面向低功耗高性能应用和极低功耗应用电路系统，电子器件在结构材料和工作机理上发生和可能发生的新变化，并讨论面向计算存储融合的下一代低功耗计算架构的新器件技术，展望新器件技术的未来发展潜力。

最后，黄如对报告内容进行总结，她指出，后摩尔时代的IC以功耗和多样性为双轮驱动继续前进，IoT、Cloud技术、智能技术成为重要驱动力；低功耗、智能、安全器件或芯片是未来IC技术的焦点；新结构新机理器件将成为IC发展主导力量，IC已进入“新器件时代”，面向不同低功耗要求、不同系统架构的新器件应运而生，伴随着材料的变化，以及相应电路和架构设计方法的变化，形成“N分天下”态势，如低功耗围栅器件、超陡摆幅器件、新型神经形态器件等；同时，涵盖材料、器件、电路、系统、算法的协同设计、功能融合、信息载体融合的“协同融合”，将成为后摩尔时代的IC发展关键。

黄如院士敏捷的思维、严谨的治学态度、在研究中发现问题、解决问题与再探索的激情深深激励了在场学子。历时近两小时，黄如院士厚积薄发，结合自身研究工作，讲解深入浅出，呈现了一场前沿且生动的报告，使得同学们对于IC未来的发展方向有了更多层次的理解，明晰更多未来可探索的可能。

    人物简介：

黄如，中国科学院院士，IEEE Fellow。现为北京大学信息科学技术学院院长、国家自然基金委创新群体带头人。长期从事半导体新器件及其应用研究，主要包括低功耗新结构新原理器件/新型神经形态器件及相关技术、器件/电路可靠性与波动性、关键共性工艺等。已合作出版著作5本，发表学术论文250余篇，迄今在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来至今连续12年在IEDM上发表论文32篇），多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS。应邀做国际会议大会和特邀报告40余次；获240余项授权发明专利（其中授权美国专利49项）。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖、中国青年科技奖等多项国家和部委级奖励。