近期，在国际半导体领域知名杂志《Semiconductor Today》摘选的2012年3-4月份代表性成果中，以“双异质结构双倍击穿电压”（Technology focus: Nitride transistors, "Doubling breakdown voltage with double heterostructure）为题重点报道了我校betway必威西汉姆联官网郝跃教授课题组研制的高击穿电压GaN双异质结构器件。

http://www.semiconductor-today.com/features.htm

2009年12月该杂志也曾对郝跃教授课题组研制的氟离子处理增强型AlGaN/GaN HEMT器件给予了重点报道。

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2009/DEC/XIDIAN_291209.htm

《Semiconductor Today》是国际半导体领域最知名的杂志，在半导体产业界和学术界具有广泛影响，每期都会摘选一些具有代表性的产业界重要事件和学术界重要成果进行报道。

郝跃教授课题组的创新研究成果近年来在国际上得到了广泛关注和高度评价。除上述两项成果外，在2009年5月出版的国际电子器件领域最高水平期刊IEEE Electron Devices Letters(Vol.30, No.5, pp.478-480)上，IEEE会士、美国物理学会终身会士Michael Shur教授高度评价郝跃教授课题组提出的HfO2/Al2O3堆层介质栅GaN MOS-HEMT器件是“很有前景的创新器件结构”。