（通讯员 梁森）近日，betway必威西汉姆联官网肖明教授发表在《IEEE Electron Device Letters》上的论文《Robust Avalanche in 1.7 kV Vertical GaN Diodes with a Single-Implant Bevel Edge Termination》获2023年度IEEE电子器件学会（EDS）George E. Smith奖，并在电子器件国际顶级会议IEEE国际电子器件会议（IEDM）上接受颁奖。

IEEE EDS George E. Smith奖设立于2002年，表彰每年发表在IEEE Electron Device Letters期刊上的最佳论文。该奖项旨在鼓励电子器件领域中具有深远影响的原创性研究，也是对在技术创新、科学价值和具备广泛影响力的科研成果的高度认可。

该成果的实现得益于与原美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心（CPES）张宇昊教授（现香港大学教授）等多位专家和学生的通力合作。该成果提出了一种基于单步离子注入的全新超小角度结终端拓展（USAB-JTE）设计，显著提升了垂直GaN二极管的雪崩能力、耐压能力和可靠性。研究展示了创新性的光刻胶工艺设计，以超小角度（约0.1度）的介质层为核心，优化了电荷分布，提升了器件在高压和高可靠性条件下的表现。该研究不仅实现了击穿电压高达平行平面极限的83%，还在雪崩电流密度等指标上达到了行业领先水平，克服了传统GaN器件的技术瓶颈，为下一代高雪崩和高可靠性GaN功率器件的开发提供了新方向。

器件结构及其雪崩特性

肖明表示，解决氮化镓功率器件雪崩能力薄弱的可靠性问题是推动氮化镓功率器件多场景应用的关键之一。未来，我们将致力于培养具备国际化视野和创新能力的研究人才和团队，专注于（超）宽禁带材料、器件及其先进集成技术的科学技术研究，推动高功率、高频率和高集成电子器件的研发与应用，通过高水平的科研合作与教学，为国家的科技发展贡献星火之力。

论文信息：

M. Xiao et al., "Robust Avalanche in 1.7 kV Vertical GaN Diodes With a Single-Implant Bevel Edge Termination," in IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 10, pp. 1616-1619, Oct. 2023, doi: 10.1109/LED.2023.3302312.

https://ieeexplore.ieee.org/document/10217061