第四届“芯原杯”电路设计大赛由芯原控股有限公司发起，电子科技大学、betway必威西汉姆联官网共同主办，四川大学、西安交通大学、西南交通大学和西北工业大学协办。
       
       ◎ 竞赛主题
       FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)是一种介于传统的平面体硅工艺和三维 FinFET工艺之间的器件结构。它兼有平面工艺的简单低成本，SOI工艺的的低漏电、抗辐射，和接近FinFET的高性能、低功耗等特点，而且额外支持灵活的衬底偏压技术。它进一步延伸了20nm以下摩尔定律的发展，非常适合物联网、移动设备等高性能低成本应用以及对可靠性要求更高的汽车电子等需求。

       ◎ 参赛要求
       具有模拟设计电路理论基础，并有正式学籍的全日制在校研究生及准研究生均有资格报名参赛。每人限参加1支参赛队伍，每支参赛队由3名学生组成。

       ◎ 竞赛形式
       初赛：采用笔试（闭卷），每支队伍一份试卷，在限定时间内完成，最终分数排名前十名的队伍进入决赛。
       决赛：将在成都的电子科技大学举行，采用全封闭式竞赛模式，上机赛+答辩环节。上机赛题目在比赛当天公布，以模拟电路设计为主题，参赛队在2天内（每天08:30-20:30）完成参赛作品，其中1天电路，1天版图，并提交相应设计报告。

       ◎ 评分标准
       以参赛作品评审为主体，完成命题设计占80%，自主创新发挥占20%，完成规定外设计可得额外分数。

       ◎ 竞赛日程

4月16 日- 5月15日	报名
5月21日	技术讲座
5月22日-5月25日	赛前培训
6月2日	初赛
6月9-10日	决赛
6月11日	作品展示、答辩
6月12日	颁奖

       ◎ 大赛奖励：
       一等奖：获奖证书+9000元奖金+芯原（上海）公司参观+芯原实习机会
       二等奖：获奖证书+6000元奖金+芯原（上海）公司参观
       三等奖：获奖证书+3000元奖金
       入围奖：所有进入决赛的参赛选手均可受邀参观芯原（成都）公司
       参赛奖：每位参赛选手均可获得参赛奖励

       ◎ 承办单位：
       电子科技大学电子科学与工程学院、betway必威西汉姆联官网betway必威西汉姆联官网

       参赛报名入口:
     （1）扫描二维码--第四届“芯原杯”电路设计大赛