西电新闻网讯中国科学院网站12月19日公布了中国科学院2013年当选院士名单，betway必威西汉姆联官网郝跃教授当选。

郝跃，汉族，安徽阜阳人，1958年出生，博士，教授，博士生导师。1982年毕业于西北电讯工程学院（现betway必威西汉姆联官网）技术物理系半导体物理与器件专业，1985年获得硕士学位，1991年于西安交通大学获博士学位。是betway必威西汉姆联官网副校长，IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表，入选国家首批“百千万人才工程”，陕西省“三五”人才程首批入选者；现为中国人民解放军总装备部科学技术委员会兼职委员，中国人民解放军总装备部军用微电子技术专业组组长，教育部电子信息科学与工程类专业指导分委员会副主任委员；还担任国家“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”重大科技专项总体组副组长，以及“核心电子器件”重大科技专项实施组组长。

郝跃教授长期从事微电子技术科研与教学工作，主要方向为第三代半导体材料和器件、微米纳米半导体器件与可靠性研究。他系统研究了GaN电子材料生长中缺陷形成的机理，基于自主方法，建立了2英寸、3至4英寸及6英寸三代自主国产化MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺技术，研制出国际先进水平的GaN电子材料，在国内外得到应用和好评。其设备与材料技术已经得到产业化推广和应用。在高性能GaN基微波毫米波功率器件研制方面，结合自主提出的无应变背势垒和槽栅浮空场板等新型结构，研制出高性能GaN微波毫米波功率器件，得到国内外高度评价。同时自主建立了GaN微波毫米波功率器件的成套国产化工艺，研制成功的器件已在重点工程中得到试用。他研制成功了4GHz频率下功率附加效率高达73%的MOS-HEMT微波功率器件，这一成果被国际同行评价“为高频大功率系统应用指明了方向”，并被认为是近十年里国际GaN HEMT器件领域三方面标志性成果之一。他先后对硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等三代半导体器件开展退化与失效机理研究，提出并建立自对准槽栅半导体器件结构与制造工艺，对半导体器件的抗热载流子退化、抗辐照加固等问题取得了卓有成效的研究成果。

他以第一完成人获2009年国家技术发明二等奖、1998年国家科技进步三等奖及2010 年“何梁何利”基金科学与技术进步奖。另获国家科技进步二奖1项（排名第五），省部级一、二等奖10余项。在国内外发表的论文有168篇被SCI收录、被引用601次，出版专著3部，获国家发明专利授权57件。培养博士39名，硕士100余名。他是国家安全重大基础研究（973）计划首席科学家，其科研团队被评为08年国防科技创新团队。

郝跃教授近20年来一直从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的开拓研究，在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得了一系列重要的创新性成果，在国内外同行中有重要影响，对开创我国宽禁带半导体材料、器件和高功率微波电子学研究做出了系统性、创造性的重要贡献。